半导体材料瓶颈可望突破咗

技术资料发布时间:2021-11-30

半导体材料瓶颈可望突破

半导体材料瓶颈可望突破!台湾科技部昨日宣布,台湾、日本、沙乌地阿拉伯等跨国团队,已研究出单层二硫化钼P-N接面,可望取代矽晶片成为新世代半导体核心元件,广泛应用在穿戴式装置及中。

这是第1个发表新世代半导体材料基础研究成果,不但将刊登在新一期国际期刊《SCIENCE》中,交大研究团队透露,这项结果可望吸引台积电更积极合作研究,以早日抢占市场商机。

在科技部大力支持尖端晶体材料开发及制作计画科技预算下,半导体材料瓶颈有了重大突破。台湾研究团队计画主持人交大电子物理系教授张文豪指出,英特尔及三星均积极投入单层元件材料研究,台积电也积极与学界接洽合作,未来谁能抢先开发单层元件材料,就能在市场占有一席之地。

张文豪说,单层二硫化钼是科学家认为新世代半导体颇有潜力的材料,这次研究团队发展出单层二硫化钼及单层二硒化钨的P-N接面,可望解决半导体元件制备关键问题。

张文豪说,未色彩有白色、灰色和淡蓝色多孔状来可广泛应用于极度微小化的电子元件,尤其单层二硫化钼具有极轻薄透明特性,有潜万能实验机主机采取进口伺服机电及伺服调速系统、滚珠丝杠力应用在未来低耗能软性电子与穿戴式电子元件,或应用中。

张文豪说,台籍科学家李连忠过去为中研院研究员,被沙国国王科技大学延揽成为沙国科学家,他筹组台湾、沙国、日本等跨国合作团队进行大型合作计画。台湾研究团队除张文豪外,还有交大材料系教授韦光华、中研院应科中心研究员朱治伟等人。

科技部指出,二硫化钼是继石墨烯后,备受国际科学家关注层状材料,单层二硫化钼具有良好发光效率,电子迁移率与高开关比,可用于未来新型低耗能逻市场保有量最大的电缆故障粗测仪器辑电路,极有可能取代目前矽晶做下世代主要核心元件。

科技部指出,国际半导体大厂如Intel、台积电及三星等,小元件技术约落在7~10奈米间,而这项研究成果为二硫化钼及相关无机二维材料电子学研究及应用,将有助二硫化钼等材料应用在2奈米半导体制程技术中。

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